GANSUP – Opracowanie zasilaczy liniowych w technologii GaN bazujących na rozwiązaniach komercyjnych oraz wytworzonych w Sieci Badawczej Łukasiewicz do zastosowań w oświetleniu i sieciach typu smart grid

Akronim projektu badawczego:
GANSUP

Tytuł projektu badawczego: Opracowanie zasilaczy liniowych w technologii GaN do zastosowań w oświetleniu i sieciach typu smart grid

Instytut:
Łukasiewicz – Instytut Elektrotechniki
Łukasiewicz – Poznański Instytut Technologiczny Łukasiewicz – Instytut Tele- i Radiotechniczny Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki

Całkowita wartość PIT 290.000 zł

Dofinansowanie PIT 290.000 zł

Czas realizacji 01.04.2023-30.09.2024

Planowane efekty realizacji projektu badawczego i ich znaczenie dla realizacji celu działalności Sieci
Efektem realizacji projektu jest opanowanie technologii aplikacji tranzystorów z azotku galu w budowie układów elektronicznych/energoelektronicznych. W tym wypadku na przykładzie zasilacza liniowego. Realizacja projektu umożliwi zdobycie doświadczenia w projektowaniu, opracowaniu technik sterowania oraz montażu urządzeń z wykorzystaniem tranzystorów w technologii GaN. Pozwoli to na szersze wprowadzanie tranzystorów GaN w dalszych projektach, razem ze wszystkimi ich korzyściami.

Rezultaty i czas trwania projektu
Planowane rezultaty/produkty
Opracowanie technologii aplikacji tranzystorów GaN, opracowanie technik sterowania oraz montażu tranzystorów, dwa prototypy (prototyp 1, prototyp 2) zasilaczy liniowych 50 W do oświetlenia LED, doświadczenie w zakresie optymalizacji urządzenia w technologii GaN pod kątem wdrożenia. Klient przekazał następujące wymagania zasilacza: Zasilanie: 220-240Vac, 50/60Hz, Klasa ochrony: II; Pobór mocy w trybie Stand-by: ≤0,5W. Napięcie wyjściowe robocze w całym zakresie regulacji prądu wyjściowego: 30Vdc-50Vdc; Znamionowy prąd wyjściowy ustawiany za pomocą DIP SWITCH: 600mA, 650mA, 700mA, 750mA, 800mA, 850mA. 900mA, 950mA, 1000mA, 1050mA,