GaNLIN – Wysokonapięciowe tranzystory GaN HEMT do zastosowań w zasilaczach liniowych i płytach indukcyjnych

Projekt badawczy o akronimie GaNLIN p.t. „Wysokonapięciowe tranzystory GaN HEMT do zastosowań w zasilaczach liniowych i płytach indukcyjnych”

PROJEKT DOFINANSOWANY ZE ŚRODKÓW BUDŻETU PAŃSTWA
Projekt dofinansowany z dotacji celowej Prezesa Centrum Łukasiewicz

Akronim: GaNLIN

Tytuł projektu badawczego: Wysokonapięciowe tranzystory GaN HEMT do zastosowań w zasilaczach liniowych i płytach indukcyjnych

Instytuty biorące udział w projekcie:

Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki

Łukasiewicz – PORT Polski Ośrodek Rozwoju i Technologii

Łukasiewicz – Poznański Instytut Technologiczny

Łukasiewicz- Instytut Tele – i Radiotechniczny

Łukasiewicz – Instytut Elektrotechniki

Okres realizacji: 1.02.2023 – 31.12.2025

Dofinansowanie dla Łukasiewicz – PIT: 620.000 zł

Całkowita wartość dla Łukasiewicz – PIT:  775.000 zł

 

Cel projektu: Celem projektu jest wprowadzenie na rynek polskiego tranzystora GaN HEMT (high electron mobility transistir) 650V i 1200 V do układów energoelektronicznych dla przemysłu wysokich mocy. Takie rozwiązanie da polskiemu przemysłowi możliwość wprowadzania innowacyjnych, rodzimych rozwiązań technologicznych w dziedzinie elektroniki do własnych produktów i wytworów działalności gospodarczej. Spowoduje to zwiększenie konkurencyjności polskich przedsiębiorstw na rynku europejskim i światowym. Dzięki realizacji projektu klient zyska dostęp do krajowej technologii przyrządów półprzewodnikowych na bazie azotku galu oraz uzyska przyrządy o parametrach dedykowanych do danej aplikacji, w tym zmniejszenie wagi i objętości układów elektronicznych oraz zmniejszy zapotrzebowanie na chłodzenie układów.