GaNLIN – Wysokonapięciowe tranzystory GaN HEMT do zastosowań w zasilaczach liniowych i płytach indukcyjnych

Cel projektu:

Celem projektu jest wprowadzenie na rynek polskiego tranzystora GaN HEMT (high electron mobility transistor) 650V i 1200 V do układów energoelektronicznych dla przemysłu wysokich mocy.

Korzyści:

Realizacja projektu da polskiemu przemysłowi możliwość wprowadzania innowacyjnych, rodzimych rozwiązań technologicznych w dziedzinie elektroniki do własnych produktów i wytworów działalności gospodarczej. Spowoduje to zwiększenie konkurencyjności polskich przedsiębiorstw na rynku europejskim i światowym. Klient zyska dostęp do krajowej technologii przyrządów półprzewodnikowych na bazie azotku galu oraz uzyska przyrządy o parametrach dedykowanych do danej aplikacji, w tym zmniejszenie wagi i objętości układów elektronicznych oraz zmniejszy zapotrzebowanie na chłodzenie układów.

Skład konsorcjum:

• Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
• Łukasiewicz – PORT Polski Ośrodek Rozwoju i Technologii
• Łukasiewicz – Poznański Instytut Technologiczny
• Łukasiewicz- Instytut Tele – i Radiotechniczny
• Łukasiewicz – Instytut Elektrotechniki