Tranzystory GaN HEMT na pasmo ISM przeznaczone do zastosowań w źródłach promieniowania mikrofalowego

Projekt „Tranzystory GaN HEMT na pasmo ISM przeznaczone do zastosowań w źródłach promieniowania mikrofalowego” – GaNISM

 

 

PROJEKT DOFINANSOWANY ZE ŚRODKÓW BUDŻETU PAŃSTWA
Projekt dofinansowany z dotacji celowej Prezesa Centrum Łukasiewicz

„Tranzystory GaN HEMT na pasmo ISM przeznaczone do zastosowań w źródłach promieniowania mikrofalowego” – GaNISM

Akronim: GaNISM
Okres realizacji: 01.07.2021 – 30.06.2024

Dofinansowanie: 1.039.500 zł
Całkowita wartość: 1.155.000 zł

Celem projektu jest opracowanie krajowych tranzystorów na bazie azotku galu dla mikrofalowej elektroniki mocy przeznaczonych do wzmacniaczy dużej mocy wykorzystywanych w inteligentnych i wysokosprawnych źródłach promieniowania mikrofalowego.

W ramach projektu powstanie konstrukcja i technologia wytwarzania wielobramkowych tranzystorów mocy HEMT AlGaN/GaN (high electron mobility transistors) na podłożach z węglika krzemu.