GaNISM – Tranzystory GaN HEMT na pasmo ISM przeznaczone do zastosowań w źródłach promieniowania mikrofalowego
Projekt dofinansowany ze środków budżetu państwa. Projekt dofinansowany z dotacji celowej Prezesa Centrum Łukasiewicz.
Akronim: GaNISM
Rodzaj: B+R
Dofinansowanie: 1.039.500 zł
Całkowita wartość: 1.155.000 zł
Data rozpoczęcia: 01.07.2021
Data zakończenia: 30.06.2024
Cel projektu:
Celem projektu jest opracowanie krajowych tranzystorów na bazie azotku galu dla mikrofalowej elektroniki mocy przeznaczonych do wzmacniaczy dużej mocy wykorzystywanych w inteligentnych i wysokosprawnych źródłach promieniowania mikrofalowego.
Rezultaty:
W ramach projektu powstanie konstrukcja i technologia wytwarzania wielobramkowych tranzystorów mocy HEMT AlGaN/GaN (high electron mobility transistors) na podłożach z węglika krzemu.
WSZYSTKIE AKTUALNE PROJEKTY
