GaNLIN – High voltage GaN HEMT transistors for linear power supply and inductor board applications
Project co-funded by the state budget. Project co-funded by a specific grant from the President of the Łukasiewicz Centre
Acronym: GaNLIN
Type: R&D
Grant: PLN 620 000 (for Łukasiewicz - PIT)
Total value: PLN 775 000 (for Łukasiewicz - PIT)
Start date: 01.02.2023
Project completion date: 31.12.2025
Project objectives:
Celem projektu jest wprowadzenie na rynek polskiego tranzystora GaN HEMT (high electron mobility transistor) 650V i 1200 V do układów energoelektronicznych dla przemysłu wysokich mocy.
Benefits:
Realizacja projektu da polskiemu przemysłowi możliwość wprowadzania innowacyjnych, rodzimych rozwiązań technologicznych w dziedzinie elektroniki do własnych produktów i wytworów działalności gospodarczej. Spowoduje to zwiększenie konkurencyjności polskich przedsiębiorstw na rynku europejskim i światowym. Klient zyska dostęp do krajowej technologii przyrządów półprzewodnikowych na bazie azotku galu oraz uzyska przyrządy o parametrach dedykowanych do danej aplikacji, w tym zmniejszenie wagi i objętości układów elektronicznych oraz zmniejszy zapotrzebowanie na chłodzenie układów.
Skład konsorcjum:
- Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
- Łukasiewicz – PORT Polski Ośrodek Rozwoju i Technologii
- Łukasiewicz – Poznański Instytut Technologiczny
- Łukasiewicz- Instytut Tele – i Radiotechniczny
- Łukasiewicz – Instytut Elektrotechniki
ALL CURRENT PROJECTS
