GaNISM – Tranzystory GaN HEMT na pasmo ISM przeznaczone do zastosowań w źródłach promieniowania mikrofalowego

 

Cel projektu:

Celem projektu jest opracowanie krajowych tranzystorów na bazie azotku galu dla mikrofalowej elektroniki mocy przeznaczonych do wzmacniaczy dużej mocy wykorzystywanych w inteligentnych i wysokosprawnych źródłach promieniowania mikrofalowego.

Rezultaty:

W ramach projektu powstanie konstrukcja i technologia wytwarzania wielobramkowych tranzystorów mocy HEMT AlGaN/GaN (high electron mobility transistors) na podłożach z węglika krzemu.